受招標人委托對下列產(chǎn)品及服務進行國際公開競爭性招標，于2023-08-30在 公告。 本次招標采用傳統(tǒng)招標方式，現(xiàn)邀請合格投標人參加投標。
1、招標條件
項目概況：宜興中車時代半導體 LPCVD設備及高溫氧化爐項目（重新招標）
資金到位或資金來源落實情況：已落實
項目已具備招標條件的說明：已具備
2、招標內(nèi)容：
招標項目編號：0623-2340J1110092/01
招標項目名稱：宜興中車時代半導體 LPCVD設備及高溫氧化爐項目（重新招標）
項目實施 其他詳見技術(shù)規(guī)格書	★包中設備不得拆分投標。
包2	高溫氧化爐	8管	高溫氧化爐管采用SIMF模式（E84通訊功能），用于IGBT芯片制造200mm硅高溫氧化工藝。其他詳見技術(shù)規(guī)格書	★包中設備不得拆分投標。

3、投標人資格要求 投標人應具備的資格或業(yè)績：包1：LPCVD設備: 1、投標人具有所投設備的制造或銷售資格，制造商近三年（以投標截止時間前36個月為有效，以合同或訂單簽訂時間或制造商出具的簽字或蓋章的業(yè)績明細表等其他有效證明材料的落款時間為準）LPCVD設備業(yè)績合計不低于50管。（投標文件中必須提供合同或訂單復印件或制造商出具的其他有效證明材料，如簽字或蓋章的業(yè)績明細表） 2、投標人如為貿(mào)易公司，必須隨投標文件提供制造商針對本項目的《制造商授權(quán)書》。 包2：高溫氧化爐: 1、投標人具有所投設備的制造或銷售資格，制造商近三年（以投標截止時間前36個月為有效，以合同或訂單簽訂時間或制造商出具的簽字或蓋章的業(yè)績明細表等其他有效證明材料的落款時間為準）8寸及以上晶圓臥式爐管設備業(yè)績合計不低于20管。（投標文件中必須提供合同或訂單復印件或制造商出具的其他有效證明材料，如簽字或蓋章的業(yè)績明細表） 2、投標人如為貿(mào)易公司，必須隨投標文件提供制造商針對本項目的《制造商授權(quán)書》。 是否接受聯(lián)合體投標：不接受 未領購招標文件是否可以參加投標：不可以 4、

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